본 고안은 웨이브 스타일링이 가능한 음이온 방출 고대기에 관한 것으로, 전방 일면에 피티씨(PTC)소자 또는 세라믹 소자의 발열부재를 포함한 발열판(12,22)이 구비되고, 후방이 회동되도록 힌지결합된 상부발열가압부재(10)와 하부발열가압부재(20)가 형성된 고대기에 있어서, 상기 상부발열가압부재(10)와 상기 하부발열가압부재(20)의 각각의 발열판(12,22)의 반대편 외측에 결합되고, 외측 일면에 복수의 끼움공(102)이 형성되며, 상기 끼움공(102) 사이에 방열공(104)이 형성된 커버체(100)와; 상기 커버체(100)의 끼움공(102)에 탈부착되도록 끼움결합되고, 모발의 웨이브 크기를 선택가능하도록 서로다른 곡률을 가진 만곡진 제1곡선부(210)와 제2곡선부(220)가 형성된 웨이브커버(200)와; 상기 웨이브커버(200)의 제1곡선부(210)와 제2곡선부(220) 사이에 끼움결합되어 외부로 노출형성되고, 상기 상부발열가압부재(10)와 상기 하부발열가압부재(20)의 발열판(12,22)으로부터 발생되는 열이 상기 커버체(100)의 방열공(104)을 통해 전달되어 다량의 음이온이 방출되도록 구비된 음이온메탈(300)과; 상기 웨이브커버(200)의 제1곡선부(210)와 제2곡선부(220)에 각각 볼트결합되어 고정되고, 상기 웨이브커버(200)의 제1곡선부(210)와 제2곡선부(220)의 곡률에 대응되는 곡률로 형성되어 모발의 선택적 웨이브 성형이 가능하도록 형성된 제1성형판(400)과 제2성형판(400');을 포함하는 웨이브 스타일링이 가능한 음이온 방출 고대기에 관한 것이다.